[发明专利]一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110644546.0 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113555497A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李京波;赵艳;汪争;岳倩;郑涛;张龙;周贝尔 | 申请（专利权）人： | 浙江芯国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法，方法包括：清洗衬底层，所述衬底层包括n |
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| 搜索关键词： | 一种 迁移率 sic 基石 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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