[发明专利]一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110644546.0 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113555497A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李京波;赵艳;汪争;岳倩;郑涛;张龙;周贝尔 | 申请（专利权）人： | 浙江芯国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 sic 基石 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种高迁移率的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
清洗衬底层，所述衬底层包括n+SiC衬底层和位于所述n+SiC衬底层上的n-SiC衬底层；
将石墨烯转移到所述衬底层上；
在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极；
对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理，以得到SiC基石墨烯器件。
2.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，清洗衬底层，包括：
先用BOE处理所述衬底层，再用丙酮和异丙醇分别超声清洗所述衬底层。
3.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，将石墨烯转移到所述衬底层上，包括：
首先剥离石墨烯，再通过湿法转移方法将石墨烯转移到所述衬底层上。
4.根据权利要求3所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，首先剥离石墨烯，再通过湿法转移方法将石墨烯转移到所述衬底层上，包括：
首先在硅片上旋涂PMMA茴香醚溶液，然后对旋涂有PMMA茴香醚溶液的硅片进行烘干处理，并置于KOH溶液中进行刻蚀处理，之后将PMMA和所述硅片分离，再用去离子水进行清洗，之后用衬底层将PMMA膜和位于所述PMMA膜下表面的石墨烯捞起，再进行烘干处理，之后用丙酮蒸汽软化所述PMMA膜，再用丙酮浸泡和吹干处理，以得到位于衬底层上的石墨烯。
5.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极，包括：
利用激光直写技术制备电极图案；
利用电子束蒸镀沉积在所述石墨烯和所述衬底层上沉积金属电极，溶脱后得到所述霍尔电极。
6.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理，包括：
在氮气氛围中，对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理。
7.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，所述n+SiC衬底层的厚度为180～375μm，所述n-SiC衬底层的厚度为0.5～11μm。
8.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，所述石墨烯的厚度范围为0.3～10nm。
9.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，所述霍尔电极包括Au、Ti/Au或Gr/Au。
10.一种高迁移率的SiC基石墨烯器件，其特征在于，利用权利要求1至9任一项所述的SiC基石墨烯器件的制备方法制备而成，所述SiC基石墨烯器件包括：
衬底层，所述衬底层包括n+SiC衬底层和位于所述n+SiC衬底层上的n-SiC衬底层；
石墨烯，位于所述衬底层之上；
若干霍尔电极，位于所述衬底层、所述石墨烯之上。
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