[发明专利]可变电阻式存储器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202110641056.5 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115458679A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王温壬;郑钧鸿;王泉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可变电阻式存储器装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器(resistive random‑access memory,RRAM)装置，包含有一底电极、一电阻材料层、一高功函数层、一顶电极、一硬掩模以及高功函数侧壁部分。底电极、电阻材料层、高功函数层、顶电极以及硬掩模依序堆叠于一基底上。高功函数侧壁部分覆盖顶电极的侧壁，以及硬掩模的侧壁，因而构成一可变电阻式存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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