[发明专利]一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器在审
申请号: | 202110635335.0 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113376121A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 余世林;高子昂;赵同刚;余建国 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值介质超表面折射率传感器,所述光学折射率传感器主要由介质基底和超表面微结构单元阵列组成,其中介质超表面结构单元阵列由若干个微结构单元组成并在每个介质超表面微单元中心对称刻蚀两个连接半圆环孔洞,两个连接半圆环孔洞的内外圆半径均为R1和R2。光波垂直入射时,该发明的透射谱图中形成一个尖锐的Fano共振可用于折射率传感器。本发明由全介质材料构成,无欧姆损耗,表现出较高的Q值,可用于不同折射率的气体液体的检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 连接 半圆 环孔 表面 折射率 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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