[发明专利]一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器在审
申请号: | 202110635335.0 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113376121A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 余世林;高子昂;赵同刚;余建国 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 连接 半圆 环孔 表面 折射率 传感器 | ||
1.一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器,其特征在于,所述光学折射率传感器主要由介质基底和超表面微结构单元阵列组成,其中介质超表面结构单元阵列由若干个微结构单元组成并在每个介质超表面微单元中心对称刻蚀两个连接半圆环孔洞,且两个连接半圆环孔洞的内外半径均为R1和R2。
2.根据权利要求1所述的一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器,其特征在于,所述介质基底材料为二氧化硅,介质超表面结构材料为单晶硅、多晶硅或二氧化钛中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器,其特征在于,介质超表面结构厚度t为200nm~300nm。
4.根据权利要求1-3所述的一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器,其特征在于,所述全介质超表面光学折射率传感器结构工作在红外波段中的任一波段。
5.一种权利要求1~4任一项所述的基于连接双半圆环孔洞的高Q值超表面折射率传感器在检测环境折射率的应用,检测介质折射率为n。
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