[发明专利]一种提高NEA GaN电子源使用寿命的方法及装置有效
| 申请号： | 202110634939.3 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488360B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;全卓艺;李嘉璐;张依辰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J7/24;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高NEA GaN电子源使用寿命的方法及装置。所述装置包括热电偶、温控仪、环形螺旋状管道、低温液体罐、安全阀、低温液体通道、低温控制阀、法兰、样品托。所述热电偶安装在样品托背面检测其温度变化，通过导线连接温控仪，所述温控仪与低温控制阀连接并向低温控制阀输送反馈电信号，所述低温控制阀通过控制低温液体的流速来达到温控效果，所述低温液体通道连接低温液体罐和环形螺旋状管道并向环形螺旋状管道输送低温液体，所述环形螺旋状管道呈圆周状紧密贴于样品托背面，在超高真空条件下铟焊连接所述样品托和GaN阴极材料。本发明有效地增大GaN电子源和样品托之间的热导率，延缓GaN电子源的温升速率从而使其工作寿命得到明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 nea gan 电子 使用寿命 方法 装置 | ||
【主权项】：
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