[发明专利]一种用于超高真空系统中制冷型GaN电子源的制备方法在审
| 申请号： | 202110634915.8 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488359A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李嘉璐;张依辰;全卓艺;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J7/24;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于超高真空系统中制冷型GaN电子源的制备方法。该制冷型GaN电子源的制备方法主要利用铟焊技术，在采用化学清洗和热退火工艺清洁GaN表面后，将GaN样品与半导体制冷片及热电偶焊接，再利用铯、氧激活工艺激活GaN达到负电子亲和势表面，完成电子源的制备。该方法利用半导体制冷技术减缓阴极的温升速率，具有体积小、可控性好、可靠性高等优点，可以有效提高用于超高真空系统中负电子亲和势GaN电子源的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超高 真空 系统 制冷 gan 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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