[发明专利]基于碳纳米管的互连结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110615520.3 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267633A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 季明华;张汝京;欧阳雄 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于碳纳米管的互连结构及制备方法，在微米级尺寸的通孔中，形成填充率较高的碳纳米管层，以实现致密填充通孔，从而使得通孔中的碳纳米管层具有较低的电阻，以具有良好的导电性，从而满足大电流的需求，且填充率较高的碳纳米管层还具有良好的热稳定性，机械强度高，且可降低能耗，从而通过填充率较高的碳纳米管层可有效替代金属互连。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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