[发明专利]一种基于半导体器件的电场强度测量方法

摘要

本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法，包括：S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件，编号Slow、Shigh，对应的击穿场强Dlow、Dhigh；其中，Slow能被待测位置处的场强击穿，Shigh不能被待测位置处的场强击穿；S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差，若小于，则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2；若不小于，则进入步骤S3；S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid，并放置在待测位置处；S4、判断Smid是否被击穿：若被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2；若未被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。