[发明专利]一种星载固态功放大功率微波器件散热方法在审
| 申请号： | 202110593216.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113539838A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨章;安笑笑;朱光耀;杨飞;陈伟伟;王程;杨阳 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 任林冲 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种星载固态功放大功率微波器件散热方法，具体步骤包括：载体选择：将半导体器件待焊接在载体上，选用热导率高于440w/mk的载体材料；载体材料加工及表面处理：将载体材料加工为大尺寸的板状结构，确保载体表面凹坑或压痕深度不超过0.03mm，表面毛刺或凸起高度不超过0.03mm；载体表面分别镀镍及银；将半导体器件焊接在载体上，通过X光机检查载体组件焊接面质量，使焊接面的空洞率不大于30％。本发明选用热导率高于440w/mk的载体材料，在焊接过程控制焊接面的空洞率不大于30％，提高了大功率半导体微波器件热传导路径上的热导率，从而降低了半导体器件的工作结温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固态 功放 大功率 微波 器件 散热 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
