[发明专利]一种多层转接板的晶圆级焊接工艺在审
| 申请号： | 202110560995.7 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299601A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;黄雷;郭西;高群 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多层转接板的晶圆级焊接工艺，包括以下步骤：在硅片表面制作TSV盲孔，并在硅片表面形成钝化层，在钝化层上沉积种子层，然后电镀形成TSV金属柱，并抛光硅片的表面金属得到带有TSV金属柱的硅片；减薄硅片的背面使背面TSV金属柱露出，同时在其他区域刻蚀凹槽；在凹槽所在面的硅片表面沉积钝化层，在钝化层表面沉积种子层，电镀使金属焊锡填充在所述凹槽内，然后去除种子层；把两个带有金属焊锡的硅片进行面对面键合，热压后使焊锡融合、硅片之间的钝化层键合，最终实现两个硅片之间的焊接。本发明利用钝化层键合和金属熔融键合的方式实现双层转接板互联，把双层TSV金属柱焊接在一起，能够增加TSV金属柱的深度，有利于后续的模组嵌入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 转接 晶圆级 焊接 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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