[发明专利]一种直拉单晶初始复投工艺在审
| 申请号： | 202110556750.7 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115369475A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 赵国伟;王林;谷守伟;张文霞;王建平;吴树飞;郝瑞军;安伟;菅向红;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 一种直拉单晶初始复投工艺，步骤包括：载有熔硅原料的石英坩埚的上端面至熔硅液面具有一定高度；使具有所述一定高度的所述石英坩埚的内侧环壁面产生析晶相变，获得一层α‑方石英结构的石英体；向析晶后的所述石英坩埚进行复投硅原料。本发明在不影响石英坩埚总的装料量前提下，可使石英坩埚靠近固液界面的上沿内壁被高温充分烘烤，使其逐步完全析晶获得一层致密且稳定的α‑方石英结构的保护层，且耐腐蚀度高，使在首颗单晶拉制过程中，石英坩埚内壁不易出现气泡破裂或石英脱落问题，从而可减少拉晶过程中杂质的含量，进而改善成晶效果。与现有初始复投工艺相比，本发明提出的复投工艺，可使初始拉制硅棒的成晶率提高15％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉单晶 初始 投工 | ||
【主权项】：
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