[发明专利]一种基于纳米微腔实现近场显示与远场全息的方法及元件有效

专利信息
申请号: 202110553569.0 申请日: 2021-05-20
公开(公告)号: CN113311683B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 李仲阳;王泽静;代尘杰;郑国兴;李子乐;李哲;万成伟 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G03H1/04 分类号: G03H1/04;G03H1/08;G03H1/16;G02B27/00
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 张凯
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于纳米微腔实现近场显示与远场全息的方法及元件,所述纳米微腔是指一种由金属层‑电介质层‑金属层构成的三层薄膜结构,方法包括:基于光谱的透射率与纳米微腔电介质层厚度的对应关系形成一种包含多个纳米微腔的纳米微腔阵列,使其中每个纳米微腔对一个选取中心波长的光谱呈高透射或在对选取中心波长的光谱呈高透射和对选取中心波长的光谱呈低透射之间为可选,且其中部分所述纳米微腔的电介质层具有至少两种可选的厚度以提供两种不同的反射相位;以不同中心波长的光谱在所述纳米微腔阵列的透射情况确定近场显示;运用优化算法计算所述纳米微腔阵列的相位分布并对根据所述相位分布计算远场全息。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 实现 近场 显示 全息 方法 元件
【主权项】:
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