[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202110529328.2 | 申请日: | 2021-05-14 |
公开(公告)号: | CN113674776A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 森保孝宪;吉原和雄;西山崇之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 黄倩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括:包括第一存储器单元和第二存储器单元的非易失性存储器单元;位锁存器;以及保存寄存器。在第一写入操作中,将第一写入数据存储在位锁存器和保存寄存器中,并且基于第一写入数据来执行到多个第一存储器单元的写入。在第一写入操作期间,第一写入操作基于暂停命令被中断,并且第二写入操作被执行。在第二写入操作中,将第二写入数据存储在位锁存器中,并且基于第二写入数据来执行到第二存储器单元的写入。在第二写入操作结束之后,第一写入数据基于恢复命令被重置到位锁存器,并且中断的第一写入操作基于被重置到位锁存器的第一写入数据来被重新开始。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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