[发明专利]控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法及多态存储器在审
| 申请号： | 202110528052.6 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113314166A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 卢世阳;陈伟斌;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 代峰;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法以及一种多态存储器。其中，该方法包括：在所述自旋产生层中通入电流产生自旋流，从而产生自旋轨道力矩效应；基于所述产生的自旋轨道力矩效应改变所述反铁磁钉扎层中反铁磁磁序的数量、大小和方向中的至少一种，从而影响所述铁磁被钉扎层中磁畴的数量、大小和方向中的至少一种；控制所述电流的大小，从而使得所述反铁磁磁序产生多次不同程度的偏转；基于磁电阻效应读出所述偏转，进而实现一个物理存储单元直接存储多个阻态。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 钉扎层畴 结构 磁电 实现 存储 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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