[发明专利]调节光敏剂聚集程度的方法、纳米配位聚合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110520945.6 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113289015B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赵浩;赵彦兵;杨祥良 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | A61K41/00 | 分类号： | A61K41/00;A61K47/58;A61P35/00;C08F293/00 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 张腾 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调节光敏剂聚集程度的方法、一种纳米配位聚合物及其制备方法和应用。所述调节光敏剂聚集程度的方法包括：以由亲水嵌段和具有配位能力的位阻嵌段组成的嵌段聚合物为位阻单元，利用金属离子配位诱导光敏剂和所述嵌段聚合物共组装形成纳米配位聚合物，通过调控光敏剂与所述嵌段聚合物的投料比，实现调节光敏剂的聚集程度。本发明的方法可以简单方便地调控光敏剂的聚集程度，解决光敏剂分子面临的光漂白和聚集诱导淬灭难题，将PDT性能最优化；而且，可以选择具有不同功能的金属离子和光敏剂，实现基于PDT的多模式肿瘤综合治疗。本发明的方法简单、易于调控，条件温和，无需使用大量有机溶剂，有利于推进其临床转化。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 光敏剂 聚集 程度 方法 纳米 配位聚合 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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