[发明专利]一种电压钳位电路有效
| 申请号： | 202110509529.6 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113110681B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 余秋萍;孙鹏;赵斌;赵志斌 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G05F1/571 | 分类号： | G05F1/571;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 电路 | ||
【主权项】：
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