[发明专利]一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构有效
| 申请号： | 202110496953.1 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN112996209B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张益;黄卡玛;杨阳;朱铧丞;王策 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 王婷婷 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构。旨在提供一种无电极，制造成本低，易于加工的激发等离子体的结构，避免对激发的等离子体造成二次污染。包括：同轴接头、激发结构包括：馈入传输线结构、第一金属层、介质基片层和第二金属层；第一金属层通过馈入传输线结构连接同轴接头内导体，第二金属层连接同轴接头外导体；基底沿长度方向排布多个金属过孔，将第一金属层和第二金属层连通，金属过孔围合形成介质基片层区域，基底上开设的通孔中插入石英管；石英管外第一和第二金属圈，分别与第一和第二金属层相连；同轴接头将微波信号传输到介质基片层，金属过孔将微波信号限制在介质基片层区域，以将石英管内气体激发为等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 激发 常压 等离子体 射流 结构 阵列 | ||
【主权项】：
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