[发明专利]一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构

权利要求书

1.一种微波激发常压等离子体射流的结构，其特征在于，所述结构包括：同轴接头，与所述同轴接头连接的激发结构，所述激发结构包括基底和馈入传输线结构，所述基底由上至下包括第一金属层、介质基片层和第二金属层；其中，所述第一金属层通过所述馈入传输线结构连接所述同轴接头内导体，所述第二金属层与同轴接头外导体相连；

所述基底的相邻的至少两条边上沿各边的长度方向排布有多个金属过孔，所述多个金属过孔用于将所述第一金属层和所述第二金属层连通，其中，所述基底上所述多个金属过孔围合形成介质基片层区域，所述介质基片层区域中开设有通孔；

所述通孔中插入石英管，所述石英管内充斥有待激发的气体；

所述石英管外壁面设置有金属圈，所述金属圈内壁面紧贴所述石英管外壁面。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基底的三条边上沿各边的长度方向排布有多个金属过孔，其中，所述通孔位于所述第一金属层的中心位置。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述微波激发常压等离子体射流的结构还包括，匹配结构；所述第一金属层和所述馈入传输线结构分别与所述匹配结构连接。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述馈入传输线结构和所述介质基片层区域组成的微波信号传输线的阻抗，通过所述匹配结构匹配为预设阻抗值。

5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属圈包括：第一金属圈和第二金属圈；

所述第一金属圈位于所述第一金属层一侧，并与所述第一金属层相连，所述第二金属圈位于所述第二金属层一侧，并与所述第二金属层相连。

6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，包括至少两个激发结构，其中，至少两个所述激发结构分别连接到所述同轴接头，且至少两个所述激发结构阵列排布，其中，相邻两个激发结构的相邻边共用一排金属过孔。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基底的二条相邻边上沿各边的长度方向排布有多个金属过孔，其中，所述通孔位于第一金属层中与所述二条相邻边的交点呈对角线的端点上。

8.一种微波激发常压等离子体射流的阵列结构，其特征在于，包括至少两个权利要求1-7任一项所述的微波激发常压等离子体射流的结构。

9.根据权利要求8所述的阵列结构，其特征在于，至少两个所述微波激发常压等离子体射流的结构分别连接到各自对应的同轴接头。

10.根据权利要求8所述的阵列结构，其特征在于，至少两个所述微波激发常压等离子体射流的结构共用一个同轴接头。