[发明专利]电容器阵列和用于形成电容器阵列的方法在审
| 申请号： | 202110494346.1 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113972175A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 横山雄一 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种电容器阵列以及用于形成电容器阵列的方法。所述方法包括形成竖直拉长的第一电容器电极的阵列，所述第一电容器电极相对于外表面竖直地突出。围绕所述第一电容器电极的个别竖直突出部分周向形成绝缘环。围绕紧邻的所述第一电容器电极的所述绝缘环在第一直线方向上横向地彼此直接抵靠。围绕紧邻的所述第一电容器电极的所述绝缘环在相对于所述第一直线方向成角度的第二直线方向上彼此横向间隔开。电容器绝缘体形成在所述第一电容器电极的侧壁上方。至少一个第二电容器电极形成在所述电容器绝缘体上方。公开了额外方法，包含独立于方法的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 阵列 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110494346.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
