[发明专利]高电源抑制比的带隙基准电路和电子设备有效
| 申请号： | 202110480027.5 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113220060B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 曹源;宋阳;赵鹏;李林旭;廖宇航 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 夏智海 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种高电源抑制比的带隙基准电路和电子设备，其中，高电源抑制比的带隙基准电路包括启动电路、基准电流产生电路和带隙基准核心电路，带隙基准核心电路包括第一电子开关管、第一镜像电路、第二镜像电路和运算放大器，第一镜像电路产生与电源电压无关的正温度系数电流，同时，第二镜像电路、运算放大器和第一电子开关管产生正温度系数电压和负温度系数电压，进而输出与温度系数无关的基准电流，从而获得更低的温度系数参数，并且获得更高的电源抑制比，降低了噪声对电路的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 抑制 基准 电路 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市国微电子有限公司，未经深圳市国微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110480027.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种射频前端架构、天线装置及通信终端
- 下一篇：一种GPS空盘侦测装置
