[发明专利]高电源抑制比的带隙基准电路和电子设备

说明书

本发明提出一种高电源抑制比的带隙基准电路和电子设备，其中，高电源抑制比的带隙基准电路包括启动电路、基准电流产生电路和带隙基准核心电路，带隙基准核心电路包括第一电子开关管、第一镜像电路、第二镜像电路和运算放大器，第一镜像电路产生与电源电压无关的正温度系数电流，同时，第二镜像电路、运算放大器和第一电子开关管产生正温度系数电压和负温度系数电压，进而输出与温度系数无关的基准电流，从而获得更低的温度系数参数，并且获得更高的电源抑制比，降低了噪声对电路的影响。

技术领域

本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种高电源抑制比的带隙基准电路和电子设备。

背景技术

带隙基准电路是集成电路设计中极其重要的电路模块，由于带隙基准电路具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，因而被广泛应用在LDO、射频电路、高精度A/D转换器、D/A转换器以及混合集成电路中。这类电路的发展对带隙基准的噪声、电源纹波抑制比及启动速度等提出了非常高的要求。

图1为常用的带隙基准电路结构，这种常用的带隙基准电路，其输出电压中包含了来自运算放大器、电阻等的噪声，总的输出噪声较大，限制了带隙基准电路在LDO等芯片系统中的应用。

同时考虑到LDO的输入电压范围较宽，为了保证芯片工作的稳定性和一致性，要求片内电压基准源对电源电压的变化不敏感，因此需要设计低温漂、高电源抑制比的带隙基准，以满足系统性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高电源抑制比的带隙基准电路，旨在解决传统的带隙基准电路存在高噪声、低电源抑制比的问题。

本发明实施例的第一方面提出了一种高电源抑制比的带隙基准电路，包括启动电路、基准电流产生电路和带隙基准核心电路，所述带隙基准核心电路包括第一电子开关管、第一镜像电路、第二镜像电路和运算放大器；

所述第一电子开关管的源极、所述启动电路的电源端和所述基准电流产生电路的电源端共接并用于输入电源电压，所述第一电子开关管的漏极分别通过所述第一镜像电路和所述第二镜像电路接地，所述第一电子开关管的漏极还与所述基准电流产生电路的受控端连接，所述运算放大器的输入端与所述第一镜像电路的输出端连接，所述运算放大器的输出端与所述第一电子开关管的栅极连接，所述启动电路的第一信号输出端与所述第一镜像电路的受控端连接；

所述启动电路，用于在所述电源电压达到第一预设电压时启动，并输出启动电压至所述第一镜像电路，以及在所述第二镜像电路产生基准电压时关断；

所述第一镜像电路，用于在接收到所述启动电压时导通并产生正温度系数电流，并通过所述运算放大器输出触发电压控制所述第一电子开关管导通，以使所述基准电流产生电路输出偏置电流至所述运算放大器以及输出基准电流；

所述运算放大器，用于在接收到所述偏置电流时将所述第一镜像电路的输出端进行电压钳位，以将所述正温度系数电流在所述第二镜像电路上镜像产生所述正温度系数电流；

所述第二镜像电路，用于根据所述正温度系数电流产生正温度系数电压，并与接地产生的负温度系数电压叠加后产生所述基准电压。

在一个实施例中，所述第一镜像电路包括第二电子开关管、第三电子开关管、第四电子开关管、第五电子开关管、第一三极管、第二三极管和第一电阻；