[发明专利]原位观察集成电路结构及其演变的透射电镜样品制备方法在审
| 申请号： | 202110471682.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113218977A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 栾桂平;刘者;陈小刚 | 申请（专利权）人： | 苏州鲲腾智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/20008 | 分类号： | G01N23/20008;G01N23/04 |
| 代理公司： | 苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 杨寒来 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路的电子显微学表征技术领域，且公开了原位观察集成电路结构及其演变的透射电镜样品制备方法，包括以下步骤：1)将带有至少3个电极的原位通电芯片与待检测集成电路样品同时放入双束设备，所述原位通电芯片包含至少一个镂空通孔区域。本发明通过将三极结构分别与原位通电芯片电极相连，再与外部控制电源连接的方式，可以真实模拟器件在运行过程中的变化，同时样品表面绝缘层可以防止样品基体对于加载信号的干扰，而原位通电芯片载样区的镂空设计，便于电子束穿透，因而不必花高额的设计成本和精力用于改造透射电镜本身的功能，使得透射电镜能够实时的表征集成电路样品正常工作状态下的结构及其演变。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 观察 集成电路 结构 及其 演变 透射 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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