[发明专利]一种VCSEL的制备方法在审
| 申请号： | 202110462127.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113394656A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王田瑞;王凤玲;张健;刘奇;平登宏 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VCSEL的制备方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明的一种VCSEL的制备方法，所述方法将整个制备工艺进行简化，在进行电极金属沉积时，不使用蒸镀工艺，且摆脱了传统的双层胶工艺，在保证性能与良率的情况下，大大减少了制备工序，达成快速制成芯片的目的，可以节约大量的时间以及人力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 制备 方法 | ||
【主权项】：
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