[发明专利]一种基于物理建模仿真的GaN HEMT噪声改善方法有效
| 申请号： | 202110461173.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113515912B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吴朝晖;李珊珊;李斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于物理建模仿真的GaN HEMT噪声改善方法，涉及集成电路器件的仿真技术。针对现有技术中噪声改善不理想的问题提出本方案，将仿真结果与实测结果进行拟合后，在保持仿真过程中直流特性改变不超过限定范围的条件下循环调整仿真GaN HEMT的势垒层结构来改善噪声特性，直至获得目标噪声性能为止。优点在于，通过对GaN HEMT结构进行物理建模和网格划分处理和噪声特性优化，可以改善GaN HEMT的噪声性能，提高噪声建模的准确性和可靠性，提高GaN HEMT的资用功率增益，更适合应用于研制高频、宽带、高动态低噪声GaN HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 物理 建模 仿真 gan hemt 噪声 改善 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110461173.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种冷凝器生产装配组装方法
- 下一篇：一种动力总成的噪声预测方法
