[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置在审
| 申请号： | 202110457171.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113337895A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 徐丽红 | 申请（专利权）人： | 徐丽红 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351200 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，其结构包括刻蚀机构、气源室、真空泵、驱动电机，气源室下端与刻蚀机构上端法兰连接，真空泵设于气源室下方右侧，驱动电机设于气源室下方左侧，驱动电机带动刻蚀机构内的反应室机构在壳体内部转动，气源室通过送气口输送气体，气体经送气机构的分气网进行输送至片架机构内，气体在电磁线圈的作用下产生辉光放电，反应气体与被刻蚀的材料发生化学反应，在刻蚀的同时片架是转动的，让刻蚀的材料能更充分的刻蚀，生成能够由吸气机构带走的挥发性化合物，从而实现化学刻蚀，真空泵通过吸气管道抽吸周吸气机构内的挥发性化合物达到最大真空度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐丽红，未经徐丽红许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110457171.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
