[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置

说明书

本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，其结构包括刻蚀机构、气源室、真空泵、驱动电机，气源室下端与刻蚀机构上端法兰连接，真空泵设于气源室下方右侧，驱动电机设于气源室下方左侧，驱动电机带动刻蚀机构内的反应室机构在壳体内部转动，气源室通过送气口输送气体，气体经送气机构的分气网进行输送至片架机构内，气体在电磁线圈的作用下产生辉光放电，反应气体与被刻蚀的材料发生化学反应，在刻蚀的同时片架是转动的，让刻蚀的材料能更充分的刻蚀，生成能够由吸气机构带走的挥发性化合物，从而实现化学刻蚀，真空泵通过吸气管道抽吸周吸气机构内的挥发性化合物达到最大真空度。

技术领域

本发明涉及传感器领域，尤其是涉及到一种传感器单晶硅刻蚀装置。

背景技术

传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀。

现有的刻蚀装置是用直筒式的反应容器，并通过电磁线圈产生的电场配合反应气体对单晶硅进行刻蚀，加工过程中片架在刻蚀时通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而现在的刻蚀过程中，刻蚀装置上的线圈之间的距离固定不动，不能进行调节，在送气进入反应室时，很难让反应室内的空间各个位置的气体均匀，这就会导致片架上的传感器单晶硅刻蚀不均匀，刻蚀完成后有些传感器单晶硅还未充分刻蚀。

发明内容

本发明实现技术目的所采用的技术方案是：一种传感器单晶硅刻蚀装置，其结构包括刻蚀机构、气源室、真空泵、驱动电机，所述气源室下端与刻蚀机构上端法兰连接，所述真空泵设于气源室下方右侧，所述驱动电机设于气源室下方左侧，所述刻蚀机构由送气口、壳体、电磁线圈、反应室机构、第一转轴、吸气管道组成，所述送气口下端与壳体上端焊接连接，所述电磁线圈与壳体螺栓连接，所述反应室机构设于送气口下端，所述第一转轴上端与反应室机构下端焊接连接，所述吸气管道设于壳体下端内部。

作为本发明的进一步改进，所述反应室机构由送气机构、片架机构、齿轮齿块、吸气机构组成，所述齿轮齿块下端与送气机构焊接连接，所述送气机构下端与片架机构上端机械连接，所述片架机构下端与吸气机构上端焊接连接，所述送气机构设于壳体内部上端，所述齿轮齿块设于壳体内部上端，呈圆形齿轮圈，与送气机构内的齿轮相配合传动。

作为本发明的进一步改进，所述送气机构由第二转轴、送气管道、输气头、气盘组成，所述第二转轴设于送气管道内部，所述送气管道底部与输气头上端中部焊接连接，所述气盘分布设于输气头上端，所述第二转轴顶部与送气口机械连接，所述气盘设有三组输气头，且每组输气头构成半径不同的圆形，且每组输气头都与气盘为同心圆，用多方位输气。

作为本发明的进一步改进，所述片架机构由上卡槽、分气网、片架、下卡槽组成，所述上卡槽底端与分气网上板焊接连接，所述片架设于分气网内部，所述下卡槽上端与分气网下板焊接连接，所述第一转轴上端与下卡槽内部活动卡合连接，所述分气网上设有出气孔，出气孔将部分反应气体均匀的送入片架的各个位置，使得片架处的反应气体分布更加均匀。

作为本发明的进一步改进，所述吸气机构由传动齿轮、过滤网、吸气室、吸气头机构、吸气管道组成，所述过滤网设于传动齿轮下端左右两侧，所述吸气室上端与传动齿轮下端衔接杆焊接连接，所述吸气头机构设于吸气室内部底板上方，所述吸气头机构下端与吸气管道上段焊接连接，所述吸气头机构设于壳体内部下端，所述过滤网，具有耐酸、耐碱、耐温、耐磨等性能，用于过滤气体中的水分。

作为本发明的进一步改进，所述吸气头机构由吸气口壳体、吸气孔、管道组成，所述吸气孔设于吸气口壳体表面四周，所述吸气口壳体下端与管道上方焊接连接，所述管道与吸气管道焊接连接，所述吸气孔设有四圈，让气体通过吸气孔的速度增大。

有益效果