[发明专利]基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法在审
| 申请号： | 202110454799.1 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113224232A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军;崔岩;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14;G11C5/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 庞许倩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于底电极垂直向电压控制的SOT‑MRAM及制造、写入方法，属于半导体器件及其制造技术领域，解决了现有技术中SOT‑MRAM难以实现便于集成和产业化的磁矩定向翻转的问题。包括铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，并位于所在边缘中线的一侧，且两个边缘位于底电极长边方向的两侧，通过所述两个金属电极施加第一电压的方向与底电极长边方向垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电极 垂直 电压 控制 sot mram 制造 写入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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