[发明专利]磁化翻转的磁电耦合器件、存储单元、存储阵列及存储器有效
| 申请号： | 202110453269.5 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113206190B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 尉国栋;熊亦昂;林晓阳;柳洋;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 单晓双;董骁毅 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁化翻转的磁电耦合器件、存储单元、存储阵列及存储器，包括：压电材料层，包括压电耦合系数高于设定阈值的压电材料；多铁材料层；以及电极控制模块，通过第一电场控制所述压电材料层的电极化翻转，通过第二电场控制所述多铁材料层的电极化翻转。本发明将电压控制界面交换耦合作用与电压诱导应力转移作用相结合，可以实现无外磁场条件下电场控制的非易失、高可重复性、确定性的180°磁化翻转，可以通过纯电学方式实现极低功耗的非易失、高可重复性、确定性180°磁化翻转。该器件可与多种自旋电子器件相结合，构成磁电巨磁阻器件、磁电自旋轨道耦合逻辑器件等新型自旋电子器件，且大大提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁化 翻转 磁电 耦合 器件 存储 单元 阵列 存储器 | ||
【主权项】：
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