[发明专利]一种非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110452240.5 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113193478B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 程成 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米级VCSEL器件制备技术领域，提供了一种非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备方法，包括如下步骤：S1，生长不含氧化层的外延片；S2，于所述外延片上制备掩膜，然后进行刻蚀得到待继续加工的薄膜VCSEL；S3，对所述S2步骤中得到的薄膜VCSEL的侧壁刻蚀损伤进行修复，并将修复后的薄膜VCSEL剥离下来；S4，将剥离下来的薄膜VCSEL转移至绝缘衬底层，接着制备薄膜VCSEL的P型电极接触窗口和N型电极接触窗口；S5，于所述P型电极接触窗口和所述N型电极接触窗口上分别制备P型电极和N型电极，以完成非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备。本发明采用非对称电流注入孔径设计，薄膜长边的散射损耗恒小于短轴散射损耗，出射的偏振光通过散射损耗的选择作用以长边为主。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 工艺 薄膜 vcsel 光源 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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