[发明专利]浸润式光刻机曝光方法有效
| 申请号： | 202110447471.7 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113204175B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;黄发彬;周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浸润式光刻机曝光方法。本申请提供一种浸润式光刻机曝光方法，所述浸润式光刻机包括曝光镜头和曝光台，所述曝光方法包括依次进行的以下步骤：上传目标晶片至所述曝光台上；所述目标晶片包括位于所述目标晶片中部的测试区，和位于所述测试区外围的外围区；使得所述曝光镜头与所述目标晶片之间充斥水层；使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区；使得所述曝光镜头曝光所述测试区。本申请提供的浸润式光刻机曝光方法，可以解决相关技术中的浸润式光刻机的曝光过程因温度波动因素，无法得出光刻机的真实光刻参数的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 浸润 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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