[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 202110446871.6 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113204181B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，该高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；在光阻上覆盖收缩材料，该收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；在烘烤设备中烘烤，烘烤设备包括放置晶圆的第一加热板和位于晶圆上方的第二加热板；去除收缩材料。本申请在光刻过程中，在显影形成高深宽比光阻图形后，在光阻图形中填充收缩材料且将晶圆放置于具有上下加热板的烘烤设备中进行烘烤，由于上下加热板的设置能够设置烘烤的加热梯度，从而能够通过加热收缩材料修正光阻图形的形貌缺陷，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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