[发明专利]一种太赫兹单片电路过渡结构有效
| 申请号： | 202110440080.2 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113178671B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张勇;蒋巍;邓乐;余彩云;王莉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08;H01P5/107 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种太赫兹单片电路过渡结构，应用于太赫兹单片电路封装技术领域，针对现有技术存在的回波变差，损耗变大的问题，本发明通过将倒置微带线与放大器芯片进行连接，与传统的金丝键合连接形式相比，本发明的倒置微带线结构省去了跳金丝在高频段因寄生效应产生的不利影响，做到了无跳线连接；与倒置共面波导过渡结构相比，本发明的倒置微带线结构减少了需要涂抹导电胶的次数和部位，极大的降低了人工装配难度，同时能够保证与单片电路实现稳定可靠且无失配的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 单片 电路 过渡 结构 | ||
【主权项】：
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