[发明专利]一种太赫兹单片电路过渡结构

权利要求书

1.一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，包括两个倒置微带线结构，输入波导与输出波导分别通过一个倒置微带线结构与单片电路连接；所述倒置微带线结构与单片电路连接具体为：在倒置微带线与单片电路之间两处涂抹导电胶进行连接；

所述倒置微带线结构包括：介质基片，以及位于介质基片上的E面探针、阻抗匹配线、高阻线、倒置微带线、末端金属pad，所述E面探针、高阻线、阻抗匹配线、倒置微带线、末端金属pad依次连接；所述倒置微带线末端金属pad与单片电路S pad18连接，所述倒置微带线末端金属pad宽度小于单片电路S pad18的宽度，倒置微带线末端金属pad长度不覆盖单片电路Spad18的末端。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，还包括：输入端减高波导2、输出端减高波导8；记两个倒置微带线结构为：第一倒置微带线结构、第二倒置微带线结构；

输入波导通过输入端减高波导与第一倒置微带线结构连接，所述第一倒置微带线结构的E面探针位于输入端减高波导内，第一倒置微带线结构的末端金属pad通过导电胶与单片电路连接；输出波导通过输出端减高波导与第二倒置微带线结构连接，所述第二倒置微带线结构的E面探针位于输出端减高波导内，第二倒置微带线结构的末端金属pad通过导电胶与单片电路连接。

3.根据权利要求1所述的一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，所述单片电路包括两个S pad，其中一个S pad与第一倒置微带线结构的末端金属pad连接，另一个S pad与第二倒置微带线结构的末端金属pad连接。

4.根据权利要求3所述的一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，第一倒置微带线结构的末端金属pad与第二倒置微带线结构的末端金属pad的尺寸小于单片电路的S pad尺寸。

5.根据权利要求1-3任一权利要求所述的一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，还包括：输入端屏蔽腔、输出端屏蔽腔；第一倒置微带线结构放置于输入端屏蔽腔中，第二倒置微带线结构放置于输出端屏蔽腔中。

6.根据权利要求1-3任一权利要求所述的一种太赫兹单片电路过渡结构，其特征在于，还包括单片电路腔，所述单片电路正放于单片电路腔中。