[发明专利]一种铜纳米结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110415899.3 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113122811B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 徐大鹏;张一帆;陈建 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/18;C23C14/58;B22F1/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 李明全 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法，选取基底，利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜；其中，第一薄膜和第二薄膜间隔设置，且材质均为金/银；在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜；其中，快离子导体薄膜中含有铜，且快离子导体薄膜为连通的整体膜，整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上；为阳极和阴极通电，达到预定时间后，在阴极上得到铜纳米结构；本发明采用固态离子学法，采用RbCu |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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