[发明专利]一种基于FDSOI技术的比特单元和存储器在审
| 申请号： | 202110412458.8 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112951291A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/405 | 分类号： | G11C11/405 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储技术领域,公开了一种基于FDSO I技术的比特单元和存储器，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中第一NMOS管和第二NMOS管作为控制开关，第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管作为信息存储用，通过在第一至第四NMOS管和第一至第二PMOS管的衬底引线接入反向偏压，可以降低本发明在进行低速读写时的操作电压和位置电压，远远小于采用平面体硅工艺设计的比特单元在使用时所需要的操作电压和维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi 技术 比特 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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