[发明专利]一种半导体器件的SSTA模型优化方法有效
| 申请号： | 202110411630.8 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113128114B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件的SSTA模型优化方法，包括以下步骤：S1：向SSTA输入电晶体上的环形振荡器的路径延迟与其空间位置的假想关系曲线；S2：通过贝叶斯算法对电晶体上的环形振荡器的路径延迟进行学习；S3：使用SSTA对步骤S2中的学习结果进行分析，获取环形振荡器的路径延迟和其空间位置的实际关系曲线；在实际使用时，通过本发明可以对半导体器件制造的关键工艺参数进行排序，来筛选出重要的制程变异参，通过对重要的制程变异参数进行工艺制造过程改善或者材料改善，达到改善工艺良率和高频率MOSFET Amplifier效能提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 ssta 模型 优化 方法 | ||
【主权项】：
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