[发明专利]减少存储器件中编程干扰的方法及利用该方法的存储器件有效

专利信息
申请号: 202110408961.6 申请日: 2019-12-09
公开(公告)号: CN113066518B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 李姗;游开开;崔莹;贾建权;李楷威;张安 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 林锦辉;刘景峰
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种存储器件,包括:顶部选择单元、顶部虚设单元和存储单元串。所述顶部选择单元具有耦合到位线的第一端子以及耦合到顶部选择线的控制端子。所述顶部虚设单元具有耦合到顶部虚设字线的控制端子。所述存储单元串具有耦合到相应字线的控制端子。操作所述存储器件的方法包括:在编程操作之前,在向所述字线施加低电压的同时,向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和所述位线施加预脉冲电压,并且然后在向所述字线施加所述低电压的同时,向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和所述位线顺序地施加所述低电压。
搜索关键词: 减少 存储 器件 编程 干扰 方法 利用
【主权项】:
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