[发明专利]一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110408718.4 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN115287729A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张志颖;何秋云;聂士东;刘春艳;田华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;C25C1/20;C22C1/08;B22F1/07;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 高东丽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种有序直通孔隙结构的银电极材料，所述银电极材料的表面分布有银纳米粒子组成的类柱状结构阵列，在垂直于银电极材料表面的方向上，类柱状结构之间的间隙为直线或近似直线的直通孔隙；其中类柱状结构的横向尺寸为0.1～20μm，类柱状结构的高度为0.2～1.4mm，类柱状结构之间的间隙0.01～10.0μm。该直通孔隙结构有利于提高电解质的扩散速率，提高电化学反应过程中反应物与产物在电极表面的交换速率，提高了反应速率；同时，纳米银组成的类柱状结构的电导率比普通银粉末电极的电导率更高，利于电子在电极本体中的传输，因此，本发明中的银电极材料的极化效应和过电势更低，电化学性能更优异。此外，本发明还提供了该银电极材料的制备方法，过程简单，容易操作，参数调控方便，工艺更加灵活，制备效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有序 直通 孔隙 结构 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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