[发明专利]一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种有序直通孔隙结构的银电极材料，其特征在于，所述银电极材料的表面分布有银纳米粒子组成的类柱状结构阵列，在垂直于银电极材料表面的方向上，类柱状结构之间的间隙为直线或近似直线的直通孔隙结构；其中类柱状结构的横向尺寸为0.1～20μm，类柱状结构的高度为0.2～1.4mm，相邻类柱状结构之间的距离为0.01～10.0μm。

2.根据权利要求1所述的银电极材料，其特征在于，所述银电极材料表面的孔隙率为50～85％。

3.根据权利要求1所述的银电极材料，其特征在于，所述银电极材料中类柱状结构生长的基底上分布有银网；优选地，所述银网中每个网格的长度为2-4mm，宽度为1-2mm，银网丝直径为0.3-0.6mm。

4.根据权利要求1所述的银电极材料，其特征在于，所述银电极具有片状结构，片状结构的两侧表面均具有类柱状结构阵列，片状结构的厚度为0.5-3.0mm。

5.一种如权利要求1-4任一所述银电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将银粉置于模具中，压制待氧化银电极材料；

待氧化银电极材料经过电化学氧化过程被氧化为氧化银电极材料；

氧化银电极材料经过电化学还原过程被还原为银电极材料；

其中，电化学氧化过程中的电流密度为3-50mA/cm²；

电化学还原过程中的放电倍率为0.10-10C。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述银粉的粒径为50-300nm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述待氧化银电极材料的厚度为0.5～3.0mm，孔隙率为50-85％。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，压制待氧化银电极材料的过程中使用了银网，具体操作为：

先将一部分银粉加入至模具中，然后在银粉上铺银网，然后加入剩余银粉；

优选地，所述银网中每个网格的长度为2-4mm，宽度为1-2mm，银网丝直径为0.3-0.6mm。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电化学氧化过程为恒电流氧化或阶梯电流氧化；所述电化学氧化过程持续的时间为3-80h；

优选地，电化学氧化过程中使用的对电极材料为不锈钢或铂。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，电化学氧化过程和电化学还原过程中的电解液皆为碱溶液；优选地，所述碱溶液的浓度为0.03～0.50g/cm³；碱溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。