[发明专利]一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 202110405178.4 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113140641B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 许自强;刘立巍;王业亮;侯延辉;黄泽平;杨涵;张全震;张腾 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0203;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 代丽;郭德忠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 二维 材料 探测器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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