[发明专利]一种共晶硅深度变质的复合变质剂及其制备方法有效
| 申请号： | 202110400144.6 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113088737B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宋东福;胡锌意;杨莉;甘春雷;黄惠兰 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院材料与加工研究所 |
| 主分类号： | C22C1/06 | 分类号： | C22C1/06;C22C1/03;C22C1/02;C22C21/00;C22F1/04;B21C23/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 冯洁 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共晶硅深度变质的复合变质剂及其制备方法，涉及铝硅铸造合金领域；该变质剂包括按照质量百分比计的Sr 5.0‑8.0％，RE8.5％‑15％，杂质元素≤0.30％，余量为Al；其中，RE为La、Ce中的一种或两种；且该方法包括依次进行的熔炼步骤和热挤压步骤。该方法制备低成本、高效率的复合变质剂，且该变质剂以通过Sr作为主变质剂能改变硅相的生长模式或堆叠顺序，促进硅相向颗粒或纤维状转变，通过RE作为辅助变质剂不仅能共同改变共晶硅相的生长方向，还能抑制了Sr、Si等元素的扩散和迁移，提高共晶硅形核率和变质效率；同时形成细小的稀土相能阻碍位错的运动，提高合金强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共晶硅 深度 变质 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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