[发明专利]控制单晶金属铸件平台杂晶形成的装置、方法及其应用在审
| 申请号： | 202110399219.3 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113279049A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 任维丽;周滔;袁笑坦 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/52;B22D27/02;B22D27/04;F01D5/28 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制单晶金属铸件平台杂晶形成的装置、方法及其应用，通过这种磁场稳定熔体流动、减小液固界面曲率、不破坏枝晶形态的效应降低单晶金属铸件平台杂晶。其具体如下：在定向凝固炉外安装Cusp磁体，通过控制磁场强度大小和磁场中心相对于铸件凝固中液固界面的位置，在定向凝固的铸件液固界面产生不同强度的流动来减小液固界面的曲率，进而有效的抑制杂晶形成，比如变截面平台处的杂晶，改善单晶晶体的整体和完整性，提升后续的服役性能。本发明具有装备简单和易于实现等优点，可以应用在各种单晶金属铸件的制备中，比如单晶高温合金叶片。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 金属 铸件 平台 晶形 装置 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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