[发明专利]一种高浓度阴离子掺杂的TiO2在审

专利信息
申请号: 202110398687.9 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113213530A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 纪效波;邓杏兰;邹国强;侯红帅 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047;C01G23/08
代理公司: 长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙) 43244 代理人: 张毅
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种高浓度阴离子掺杂的TiO2及其制备方法和应用,该制备方法为:先将钛源进行预碳化,接着将预碳化后的钛源中通过高温氢气还原方法引入氧空位缺陷,然后在保护气氛下通过掺杂源扩散进行掺杂,掺杂产物经洗涤,真空干燥后得到高浓度阴离子掺杂的TiO2;其中,所述钛源为Ti‑MOF、锐钛矿和金红石型TiO2中的至少一种,所述掺杂源为升华硫、硒单质和红磷中的一种。本发明的制备方法,通过氢气还原处理引入氧空位缺陷,利用氧空位辅助杂原子进入二氧化钛或Ti‑MOF的晶格中,实现高浓度阴离子掺杂水平,具有流程短、操作简单,快速、高效的特点,有利于工业化生产。
搜索关键词: 一种 浓度 阴离子 掺杂 tio base sub
【主权项】:
暂无信息
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