[发明专利]晶圆的晶背对准方法、晶圆的晶背对准设备和光刻机在审
| 申请号： | 202110395085.8 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113031410A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;何学缅;吴永玉;刘佑铭;李剑波;刘金营;李敏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 杨东明;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆的晶背对准方法、晶圆的晶背对准设备和光刻机，晶背对准方法包括：提供一晶圆；向晶圆发射第一激光光束以在晶圆的正面上的第一预设位置刻蚀出正面对准标记，并且向晶圆发射第二激光光束以在晶圆的背面上的第二预设位置刻蚀出背面对准标记，其中，第一预设位置与第二预设位置处于同一晶圆坐标系；将正面对准标记设定为晶圆加工的正面基准，及将背面对准标记设定为晶圆加工的背面基准。本发明通过第一激光光束和第二激光光束分别刻蚀出正面对准标记和背面对准标记，使得刻蚀出的正面对准标记和背面对准标记处于同一晶圆坐标系，减少了操作步骤，减少了计算多个坐标系的对应关系，提高了对准效率及对准准确率，提高了计算精度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 方法 设备 光刻 | ||
【主权项】：
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