[发明专利]一种缺陷态单层石墨烯薄膜及制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110392417.7 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113003568B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 宋也男;吴文杰;孙卓 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;B01J21/18 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种缺陷态单层石墨烯薄膜及制备方法和应用，所述制备方法为：将铜箔放置在低压CVD系统中，在H |
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| 搜索关键词： | 一种 缺陷 单层 石墨 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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