[发明专利]一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途有效
| 申请号： | 202110384288.7 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113125540B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞;胡添翼;杨鸿成;李国鹏 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜，之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列；(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料，之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀，然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除，得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法，可以增强其导电性，降低电荷累积现象，提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 聚焦 离子束 加工 纳米 电极 阵列 方法 用途 | ||
【主权项】：
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