[发明专利]一种具有纳米级亲水位点的超疏水表面的制备方法在审
申请号: | 202110380439.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113105263A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 王德辉;邓旭;章伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B41/52 | 分类号: | C04B41/52 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种具有纳米级亲水位点的超疏水表面的制备方法,包括以下步骤:(1)炭黑沉积;(2)气相沉积;(3)煅烧;(4)超疏水表面制备;(5)引入纳米级亲水位点。本发明通过在蜡烛灰为模板的纳米二氧化硅超疏水表面上引入尺寸较小的纳米级亲水位点,来解决冷凝液滴不易在普通超疏水材料表面脱附的问题。纳米SiO |
||
搜索关键词: | 一种 具有 纳米 水位 疏水 表面 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110380439.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电杆防沉降底盘
- 下一篇:一种基于深度卷积神经网络的轨道电路故障诊断方法