[发明专利]基于褶皱方向的二维材料晶格和电学性能标定方法及系统有效
| 申请号： | 202110379227.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113092473B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 薛禹承;毛金海;周璋;王政文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大学 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N21/01 |
| 代理公司： | 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 | 代理人： | 郭文浩;尹文会 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于二维材料晶格和电学性能标定领域，具体涉及了一种基于褶皱方向的二维材料晶格和电学性能标定方法及系统，旨在解决现有技术只能通过具有原子级分辨能力的显微系统进行二维材料观测，无法使用一般光学观测手段直观迅速的判断出二维材料的晶格方向，从而确定其最佳电学性能方向的问题。本发明包括：在设定工艺下制备PDMS‑PVA膜和PDMS‑PMMA膜；通过PDMS‑PVA膜拾取氮化硼和二维材料并附于PDMS‑PMMA膜；通过去离子水去除PVA膜；将材料转至硅片，通过丙酮和异丙醇溶液去除残留的PMMA膜；真空退火获得带有褶皱的二维材料异质结；观测并标定晶格和最佳电学性能方向。本发明设备及人工成本低，对环境、样品表面清洁度和平整度要求低，制备过程简单，有利于工业大规模生产制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 褶皱 方向 二维 材料 晶格 电学 性能 标定 方法 系统 | ||
【主权项】：
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