[发明专利]一种集成大面积二维材料器件制备工艺有效
| 申请号： | 202110370199.7 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113299541B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王磊;曲迪;李宗宴;李文喆;陈帅 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/04 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成大面积二维材料器件制备工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，至少包括：S1、预处理；S2、涂胶；S3、电子束曝光；S4、显影；S5、刻蚀；S6、涂胶；S7、套刻；S8、蒸镀；S9、剥离。本发明通过选择合适的光刻胶和显影液，采用光刻胶直接做套刻标记，以及刻蚀二维材料后不去胶直接再涂胶的巧妙方法解决了二维材料吸附力不强、二维材料在显影和剥离等工艺过程容易脱落的技术问题。另外采用电子束光刻的方式，相对于紫外光刻的方式，省去光刻掩模版的制作步骤，非常灵活和便捷，具有非常高的加工效率，同时具有纳米级的加工精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 大面积 二维 材料 器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
